Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaander > Het Kanaalmosfet IC van OSG65R069HZ dronkaard-247 N Vervanging voor Voedingeenheid PSU

Het Kanaalmosfet IC van OSG65R069HZ dronkaard-247 N Vervanging voor Voedingeenheid PSU

Categorie:
elektronische ic spaander
In-voorraad:
In voorraad
Prijs:
Negotiable
Specificaties
Type:
MOSFET
Pakkettype:
Door Gat
Toepassing:
Voedingeenheid
Werkende Temperatuur:
-45 tot +125
Pakket/Geval:
Dronkaard-247
FET Type:
N-Channel
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss):
650V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C:
53
Markeren:

OSG65R069HZ

,

OSG65R069HZ MOSFET IC

,

Het Kanaalmosfet IC van PSU N

Inleiding

Bevorder Uw Voeding met OSG65R099HZ-Hoogspanning MOS Field Effect Tube

Van de ervarings Laag op-Weerstand en Omschakeling Verlies voor Betere Prestaties

 

Bevorder de voeding van uw elektronikasysteem met de hoogspanningsmos gebiedseffect buis - OSG65R099HZ. Ontworpen met lage RDS () en FOM, biedt deze voedingcomponent uitstekende stabiliteit en uniformiteit aan. Zijn ultrasnelle en robuuste lichaamsdiode verzekert probleemloze omschakeling, die het maken voor gebruik in PC-macht, telecommunicatiemacht, servermacht, EV-lader, en de toepassingen van de motoraandrijving perfect.

 

Verlies van de ervarings verbetert het minimale omschakeling en prestaties in uw elektronische apparaten. Haal voordeel uit de uitstekende eigenschappen van OSG65R099HZ en verzeker een stabiele en efficiënte voeding. Bevorder nu uw systeem en geniet van betrouwbare functionaliteit, betere productiviteit, en levensduur. Geef opdracht vandaag tot uw OSG65R099HZ-hoogspanningsmos gebiedseffect buis.

 

 

Artikelnummer

OSG65R069HZ

Merk

Origineel

Pakket

Dronkaard-247

Type

MOSFET

FET Type

N-Channel

Werkende Temperatuur

-45 tot +125 C

Opzettend type

Door Gat

Vdss (v)

650V

Identiteitskaart (A)

53

Rdsontype (Ohms)

0,06

Maximum Rdson (Ohms)

0,069

Toepassing

Voeding

Voorwaarde

Nieuw

Levertijd

3 dagen

Verzend RFQ
Voorraad:
In Stock
MOQ:
1