Huis > producten > elektronische ic spaander > N-Channel van TK62N60W K62N60W MOSFET 600V 61.8A 400W door Gat aan-247 de vervanging IC van de Voedingeenheid

N-Channel van TK62N60W K62N60W MOSFET 600V 61.8A 400W door Gat aan-247 de vervanging IC van de Voedingeenheid

Categorie:
elektronische ic spaander
In-voorraad:
In voorraad
Prijs:
negotiable
Specificaties
Type:
MOSFET
Werkende Temperatuur:
-45 tot +140
Opzettend Type:
Door Gat
Pakket/Geval:
Aan-247
FET Type:
N-Channel
FET Eigenschap:
Super Verbinding
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss):
600 V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C:
61.8A (Ta)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs:
40mOhm @ 30.9A 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart:
3.7V @ 3.1mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs:
nC 180 @ 10 V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds:
6500 pF @ 300 V
Inleiding

Bevorder Uw ASIC-Mijnwerker met Originele FET van Toshiba K62N60W

De Oplossing Met hoog voltage, hoog-Stroomsterkte voor Uw Mijnwerker Control Board

 

Het kijken om uw ASIC-raad van de mijnwerkerscontrole te bevestigen? De vervangingsmosfet van Bitmain PSU K62N60W van Origineel Toshiba is de perfecte oplossing. Met zijn mogelijkheden met hoog voltage en hoog-stroomsterkte, dit kan FET stromen comfortabel behandelen van tot 600V en 62A, makend tot het een betrouwbare en veilige optie voor uw reparaties. Deze transistor is volgzame RoHS, makend tot het een duurzame oplossing voor al uw reparatiebehoeften.

 

Zijn veelzijdigheid is onovertroffen, aangezien het algemeen in communicatieapparatuur, getelegrafeerde netwerken, EPOS, personal computers, en laptop computers wordt gebruikt. Met een brede temperatuurwaaier van -40°C aan 105°C, wordt de transistor gebouwd om te duren, makend tot het een betrouwbare en rendabele oplossing. En dankzij zijn aan-247 verpak, is het compact en gemakkelijk te behandelen. Bevorder vandaag uw ASIC-mijnwerker met Originele FET van Toshiba K62N60W, en geniet van onvergelijkelijke prestaties en betrouwbaarheid.

 

 

Categorie

Afzonderlijke Halfgeleiderproducten

De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit

Pakket

Buis

Deelstatus

Actief

FET Type

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metaaloxide)

Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss)

600 V

Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C

61.8A (Ta)

Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs

40mOhm @ 30.9A, 10V

Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart

3.7V @ 3.1mA

Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs

nC 180 @ 10 V

(Maximum) Vgs

±30V

Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds

6500 pF @ 300 V

FET Eigenschap

Super Verbinding

(Maximum) machtsdissipatie

400W (Tc)

Werkende Temperatuur

150°C (TJ)

Opzettend Type

Door Gat

Het Pakket van het leveranciersapparaat

Aan-247

Pakket/Geval

Aan-247-3

Het Aantal van het basisproduct

TK62N60

Verzend RFQ
Voorraad:
In Stock
MOQ:
1