Duurzame Geïsoleerde Poort Bipolaire Transistor Multifunctionele IRG4PH50UD
Duurzame Geïsoleerde Poort Bipolaire Transistor
,Multifunctionele Geïsoleerde Poort Bipolaire Transistor
,IRG4PH50UD
IRG4PH50UD GEÏSOLEERDE POORT BIPOLAIRE TRANSISTOR MET ULTRASNELLE SOFTWAREMATIG HERSTELdiode
Pros - en - cons. van het Kopen IRG4PH50UD voor uw Elektronische Apparaten
Als u kijkt om uw elektronika te bevorderen, kan IRG4PH50UD een grote keus zijn. Als machtsmosfet transistor, heeft het voor hoge prestaties en efficiency in een waaier van toepassingen ontworpen. Hier zijn sommige pros - en - te overwegen cons. alvorens u koopt:
Pros:
- Hoge machtsclassificaties, met een maximumvds van 600V en ononderbroken huidige classificatie van 49A
- De lage weerstand van de op-staat en snelle omschakelingssnelheden voor betere efficiency
- Intelligent ontwerp met ingebouwde eigenschappen zoals anti-parallel dioden en poort-aan-afvoerkanaal bescherming
- Geschikt voor gebruik in een waaier van elektronika, van motoraandrijving aan voedingen
Cons.:
- Naar voren gebogen aan het oververhitten als behoorlijk gebruikt niet, die prestaties en levensduur kan verminderen
- Mag één of ander extra steun schakelschema of het koelen vereisen om op optimale niveaus te werken
- Vrij duur in vergelijking met andere transistors op de markt
Globaal, is IRG4PH50UD een machtsmosfet transistor van uitstekende kwaliteit die indrukwekkende resultaten in uw elektronikaprojecten kan leveren. Zorg enkel ervoor om het overeenkomstig de richtlijnen van de fabrikant voor beste resultaten te gebruiken.
Technische details:
- Opzettende Stijl: Door Gat
- Het maximumvoltage van de Poortzender: 20 V
- Minimum Werkende Temperatuur: - 55 C
- Maximum Werkende Temperatuur: +150 C
- Pakket: Aan-247-3
- Lengte: 15.9 MM.
- Verpakking: 400
- Hoogte: 20.3 MM.
- Breedte: 5.3 MM.
- Het Maximum Voltage VCEO van de collectorzender: 3.7 V
- Ononderbroken Maximum Collector Huidige Ic: 45 A