Krachtige Machtstransistor

IRF540NPBF beschrijving: Superieur Ontwerp voor Geavanceerde Elektronika

Als u een geavanceerde machtstransistor voor uw elektronikaprojecten zoekt, kijk neen dan verder IRF540NPBF. Deze krachtige transistor wordt ontworpen om uitzonderlijke resultaten, met een superieur ontwerp te leveren dat optimale efficiency en betrouwbaarheid verzekert. Kenmerkend een hoogspanningsvermogen van tot 100V, kan IRF540NPBF in een brede waaier van toepassingen werken. Het schept ook een hoog huidig vermogen van tot 33A op, makend tot het ideaal voor gebruik in het eisen van kringen die krachtige omschakelingsmogelijkheden vereisen.

Maar wat werkelijk plaatst is IRF540NPBF apart zijn geavanceerd ontwerp. Met een lage weerstand van de op-staat en snelle omschakelingssnelheden, levert deze transistor uitzonderlijk efficiënte en betrouwbare prestaties. Het kenmerkt ook een ruwe bouw die het tegen schade van milieufactoren zoals temperatuur en trilling bestand maakt.

Zo als u een krachtige machtstransistor zoekt die superieure resultaten in zelfs de meest veeleisende toepassingen kan leveren, IRF540NPBF kiezen. Met zijn uitzonderlijk ontwerp en betrouwbare prestaties, is het de perfecte keus voor geavanceerde elektronikaprojecten.

Technische eigenschappen:

• Technologie: Si
• Opzettende Stijl: Door Gat
• Pakket/Geval: Aan-220-3
• Transistorpolariteit: N-Channel
• Aantal Kanalen: 1 kanaal
• Vds - afvoerkanaal-Bronanalysevoltage: 100 V
• Identiteitskaart - Ononderbroken Afvoerkanaalstroom: 33 A
• Rds - afvoerkanaal-Bronweerstand: 44 mOhms
• Vgs - poort-Bronvoltage: - 20 V, + 20 V
• Vgsth - poort-Brondrempelvoltage: 2 V
• Qg - Poortlast: 47.3 nC
• Minimum Werkende Temperatuur: - 55 C
• Maximum Werkende Temperatuur: + 175 C
• Pd - Machtsdissipatie: 140 W
• Kanaalwijze: Verhoging
• Verpakking: Buis
• Merk: Infineon Technologies
• Configuratie: Kies uit
• Hoogte: 15,65 mm
• Lengte: 10 mm
• Producttype: MOSFET