van de Transistoric van 200V 30A de Spaanderirfp250n MOSFET voor Hoogspanning en hoog Stroom
De Spaander 200V van transistoric
,30A de Spaander van transistoric
,IRFP250N
IRFP250N machtsmosfet
De Perfecte Oplossing voor Hoogspanning en Hoge Huidige Toepassingen
Zoekt u betrouwbare MOSFET voor uw volgende elektronisch project? Kijk neen dan verder IRFP250N-Machtsmosfet. Dit MOSFET komt met een gastheer van voordelen die tot het de perfecte oplossing voor hoogspanning en hoge huidige toepassingen maken.
Pros:
- Hoogspanningsvermogen van tot 200V
- De lage op-weerstand (0,07 ohms die), het kan hoge huidige niveaus behandelen betekenen
- Hoge omschakelingssnelheid voor snel en efficiënte exploitatie
- Duurzaam en langdurig ontwerp
- Gemakkelijk om in bestaande kringen te installeren en te integreren
- Betaalbare tarifering, die tot het maken een rendabele optie voor DIYers en beroeps
Cons.:
- Mag het extra koelen vereisen om het oververhitten in hoge machtstoepassingen te verhinderen
- Niet ideaal voor laag voltagetoepassingen
- Mei niet om geschikt voor toepassingen te zijn die uiterst nauwkeurige controle vereisen
Samengevat, IRFP250N-Machts is MOSFET een uitstekende keus voor hoogspanning en hoge huidige toepassingen. Zijn hoogspanningsvermogen, lage op-weerstand, en snelle omschakelingssnelheid maken tot het een betrouwbare en betaalbare optie voor zowel DIYers als beroeps. Nochtans, kan het het extra koelen vereisen en kan niet voor laag voltage of hoogst nauwkeurige toepassingen geschikt zijn.
Technische eigenschappen:
- Opzettende Stijl: Door Gat
- Pakket/Geval: Aan-247-3
- Transistorpolariteit: N-Channel
- Aantal Kanalen: 1 kanaal
- Vds - afvoerkanaal-Bronanalysevoltage: 200 V
- Identiteitskaart - Ononderbroken Afvoerkanaalstroom: 30 A
- Rds - afvoerkanaal-Bronweerstand: 75 mOhms
- Vgs - poort-Bronvoltage: - 20 V, + 20 V
- Minimum Werkende Temperatuur: - 55 C
- Maximum Werkende Temperatuur: + 175 C
- Pd - Machtsdissipatie: 214 W
- Kanaalwijze: Verhoging
- Merk: Infineon/de Configuratie van IRL: Kies uit
- Dalingstijd: 33 NS
- Hoogte: 20,7 mm
- Lengte: 15,87 mm
- Producttype: MOSFET
- Stijgingstijd: 43 NS
- Subcategorie: MOSFETs
- Transistortype: 1 N-Channel
- De typische Tijd van de Productvertraging: 41 NS
- De typische Tijd van de Inschakelenvertraging: 14 NS
- Breedte: 5,31 mm-Eenheid
- Gewicht: 0,211644 oz